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设备名称：分子束外延（MBE）
设备用途：
MBE是生长高纯薄膜晶体的一种顶尖的薄膜生长手段，相比其他生长方法具有较高的优越性，可以在原子层量级精确控制薄膜厚度和掺杂度，可以实现通过人为生长进行能带工程的剪裁，可以生长量子点、量子阱、二维超晶格等。
可生长外延结构
光学器件（激光器、探测器、可饱和吸收镜、超辐射发光二极管等）
电学器件（HEMT，pHEMT,HBT等）
主要规格及技术指标
生长室最高工作温度800℃；可生长GaAs，AlAs，InAs，InP等III-V族材料，可进行Be，Si、C等掺杂；生长室真空度优于5E-11Torr，兼容2inch、3inch、4inch、6inch
