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设备名称 电感耦合等离子体刻蚀ICP 品牌型号 oxford plasma 100
设备用途
利用F基和Cl基气体产生的plasma，对化合物材料和硅基进行刻蚀加工
主要技术指标：
可用气体：Ar、N2、O2、SF6、H2、CH4、Cl2、BCl3
可刻蚀材料：InP、GaAs、Si
加工尺寸：≤8inch
最大刻蚀速率：对InP＞200nm/min，对GaAs＞200nm/min，
刻蚀均匀性：≤3%
