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设备名称 反应离子刻蚀RIE 品牌型号 oxford
设备用途
利用F基气体产生的plasma，对SiO2和Si3N4进行刻蚀加工
主要技术指标：
可用气体：Ar、N2、CHF3、NF3、N2O
刻蚀腔体极限真空度： 5×10^-6Torr , 真空漏率 0.5mTorr/min
刻蚀速率： SiO2 ≥30nm/min，SiNx≥30nm/min
刻蚀选择比：对SiO2＞2.5,对Si3N4＞1.5
侧壁角度：＞80℃
加工尺寸：2inch、3inch、4inch、碎片
